DRAM價格，飆升22% - asiasworldcity.hk

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如果您希望可以時常見面，歡迎標星收藏哦~來源：內容來自Source：編譯自businesskorea，謝謝。由於特朗普政府引發的關稅風險，IT設備製造商紛紛採取措施確保芯片庫存，導致4月份DRAM和NAND的固定交易價格飆升。不僅高帶寬存儲器（HBM）等超高價位存儲器的價格上漲，通用DRAM的價格也隨之上漲，預計這將對三星電子和SK海力士第二季度的業績產生積極影響。據市場調查公司DRAMeXchange4月30日的數據顯示，用於個人電腦的通用DRAMDDR48Gb（千兆字節）產品的固定交易價格爲1.65美元，較3月份上漲22.22%。用於存儲卡和USB的128GbMLCNAND閃存的固定交易價格也較3月份上漲11.06%，達到2.79美元。固定交易價格是指三星電子和SK海力士等半導體公司向大客戶供貨的價格。此次價格上漲的原因是IT設備製造商已經耗盡了內存庫存，並大規模採購半導體。業內專家認爲，由於美國政府宣佈了互惠關稅和90天的寬限期，大型PC公司已採取行動提前確保內存庫存。三星電子和SK海力士預計，這一趨勢可能爲第二季度的銷售增長帶來機遇。SK海力士DRAM營銷主管金圭鉉(KimKyu-hyun)在4月24日舉行的第一季度財報發佈會上表示：“從最終消費者的角度來看，他們可能會在價格上漲（受關稅影響）之前搶購，這可能會刺激替換需求。”DRAM行業轉向先進節點各大DRAM製造商正在加緊計劃，縮減使用舊工藝的產量。例如，三星計劃在2025年大力擴大其1a/1b納米產能，逐步淘汰依賴1y和1z納米DRAM芯片的模塊。這一戰略轉變迅速推動了現貨市場的價格調整。雖然其他DRAM製造商仍能提供類似的產品，但長期趨勢很明顯：行業巨頭正在將資源轉向DDR5和高帶寬內存(HBM)，將曾經謹慎的市場轉變爲日益活躍的市場。隨着OEM廠商將新款筆記本電腦升級至DDR5，DDR4在注重性價比的產品領域依然需求強勁，這推動了訂單詢價激增，並推動了市場活動。一些分銷商已提前開始備貨，以確保庫存水平穩定。4月份現貨市場數據顯示，DDR5價格漲幅較3月份放緩至約8%，且近幾周漲幅有所放緩或略有下降。這種疲軟主要是由於之前價格大幅上漲以及英偉達H20芯片對中國的出口限製造成的中斷，從而增加了市場的波動性。相比之下，DDR4價格強勁增長，其中DDR416GB模塊漲幅最大。2Gx8和1Gx16配置等產品的月度漲幅達11%至14%，創下自2024年末價格長期停滯以來的最大單月漲幅。與此同時，DDR34GB也接近其生命週期的末期，最早可能在今年夏天出現供應短缺。然而，高庫存水平以及終端應用向DDR4的持續轉移使其價格漲幅較爲溫和，約爲4%至5%。NAND面臨價格上限壓力4月份閃存晶圓價格持續攀升，512GBTLC達到2.76美元左右，較3月份上漲6%。然而，1TbQLC價格在4月初曾一度飆升至5美元，但月底回落至4.95美元。中國業內人士指出，手機品牌廠商與NAND廠商之間出現了僵持局面，加之終端備貨需求弱於預期，使得NAND價格上漲的持續性更加困難。根據中國閃存市場(CFM)的研究，NAND製造商的減產措施收效有限，供應仍然超過需求，尤其是在高容量通用閃存(UFS)領域。展望未來，NAND生產商可能會進一步限制產量以維護利潤率，此舉可能會重塑未來幾個季度的供應格局。半導體精品公衆號推薦專注半導體領域更多原創內容關注全球半導體產業動向與趨勢*免責聲明：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅爲了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯繫半導體行業觀察。今天是《半導體行業觀察》爲您分享的第4022期內容，歡迎關注。『半導體第一垂直媒體』實時專業原創深度公衆號ID：icbank喜歡我們的內容就點“在看”分享給小夥伴哦

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