「香港飛龍」標誌 本文内容： 如果您希望可以時常見面，歡迎標星收藏哦~來源：內容來自trendforce & zdnet，謝謝。隨着人工智能需求的激增，高帶寬內存（HBM）已成爲存儲巨頭的關鍵戰場，美光爲此專門成立了 HBM 業務部門。該公司在其新聞稿中表示，新的架構將於 2025 年 5 月 30 日開始的 2026 財年第四季度初到位，從該季度起將採用新的財務報告格式。據美光公司稱，新的組織架構將由四個部門組成，包括雲內存業務部門（CMBU）、核心數據中心業務部門（CDBU）、移動與客戶端業務部門（MCBU）以及汽車與嵌入式業務部門（AEBU）。據韓國媒體 etnews 報道，新成立的 CMBU 將特別專注於爲超大規模雲服務提供商提供內存解決方案，並負責美光的 HBM 業務。該報道指出，此舉被視爲一項戰略舉措，旨在爲微軟和亞馬遜網絡服務（AWS）等關鍵客戶提供定製化內存。與此同時，etnews 的報道指出，由於超大規模客戶和原始設備製造商（OEM）有着不同的需求，因此 CDBU 將負責戴爾、慧與和技嘉等 OEM 服務器客戶。這一舉措似乎合情合理，因爲美光急於縮小與 HBM 領導者 SK 海力士之間的差距。正如《Sisa Journal》此前的一份報告所指出的那樣，美光的 12 層 HBM3E 已開始交付，爲英偉達的 B300 提供動力。值得注意的是，據 The Elec 報道，作爲主要熱壓（TC）鍵合機供應商的韓美半導體，將向美光交付約 50 臺熱壓 TC 鍵合機——遠超 2024 年交付的幾十臺。據 TechNews 報道，美光在其人工智能內存產品組合中顯示，其下一代 HBM4 預計將於 2026 年實現量產，隨後的 HBM4E 將在 2027 至 2028 年期間投入生產。下一代HBM，美光要彎道超車美光公司正在考慮推出下一代 HBM（高帶寬內存）鍵合技術“Fluxless”。其主要競爭對手三星電子自今年第一季度以來也一直在評估這項技術。由於需要與國內外主要粘合廠商進行綜合評估，預計粘合廠商之間將會展開激烈的競爭。據業內人士16日透露，美光公司將從今年第二季度開始與各大後處理設備公司合作，對無助焊劑設備進行質量測試。目前，美光公司正在採用NCF（非導電粘合膜）工藝來製造HBM。該方法涉及將一種稱爲 NCF 的材料插入每個 DRAM 堆棧，然後使用 TC 粘合機通過熱壓縮將它們連接起來。其原理是NCF受熱熔化，連接DRAM之間的凸塊，固定整個芯片。不過，美光公司計劃於明年開始量產的 HBM4（第 6 代）採用無助焊劑鍵合技術的可能性越來越大。據瞭解，無助焊劑鍵合機將於今年第二季度或第三季度左右推出，並開始質量測試。預計世界各地的主要粘合公司都將參加此次測試。據報道，韓國韓美半導體、總部位於美國和新加坡的Kulicke & Sofa（K&S）、總部位於新加坡的ASMPT等公司均已採取行動。半導體業內人士表示，“美光公司是一家儘可能考慮供應鏈多元化的公司，該款無助焊劑鍵合機也將由各合作公司依次進行測試。”他補充道：“我理解存在替代需求，因爲 NCF 技術在 HBM4 中遇到了一些技術限制。”另一位官員表示，“如果HBM堆棧數量增加到12個，就會出現一些問題，例如無法將NCF完美地應用到DRAM之間的狹窄間隙中，或者NCF材料在壓縮過程中突出到DRAM的邊緣”，並補充道，“這就是爲什麼無焊劑技術成爲HBM4和HBM4E中強有力的替代方案的原因。”目前，無焊劑技術是MR-MUF（大規模迴流成型底部填充）技術中最先進的技術。MR-MUF 是指將各個 DRAM 暫時粘合，然後在堆疊所有 DRAM 的狀態下施加熱量（迴流）以將它們完全粘合的方法。隨後，使用液態而非薄膜形式的 “EMC（混合環氧聚合物和無機二氧化硅的成型材料）”填充 DRAM 之間的空間。現有的MR-MUF在粘合每個DRAM時使用了一種叫做助焊劑的物質，然後經過清洗過程。這是爲了去除 DRAM 之間的凸塊上可能形成的任何氧化膜。然而，HBM 輸入/輸出端子（I/O）的數量從 HBM4 增加到 2024，是上一代的兩倍，並且隨着 DRAM 堆棧數量的增加，凸塊之間的間距也會減小。在這種情況下，助焊劑可能無法得到正確清潔，從而可能損害芯片的可靠性。因此，半導體行業一直在開發無助焊劑鍵合機，無需使用助焊劑即可去除凸塊上的氧化膜。根據設備製造商的不同，會採用等離子體和甲酸等各種方法。三星電子也在第一季度開始與海外主要設備公司合作測試無助焊劑鍵合。與美光一樣，目標是實現HBM4，預計最早在今年年底完成評估。不過據悉，三星電子正在審查各種解決方案，包括現有的NCF和下一代鍵合技術“混合鍵合”。https://www.trendforce.com/news/2025/04/18/news-micron-creates-dedicated-hbm-business-unit-reportedly-eyes-custom-memory-for-big-csps/https://zdnet.co.kr/view/?no=20250416103227半導體精品公衆號推薦專注半導體領域更多原創內容關注全球半導體產業動向與趨勢*免責聲明：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅爲了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯繫半導體行業觀察。今天是《半導體行業觀察》爲您分享的第4100期內容，歡迎關注。『半導體第一垂直媒體』實時 專業 原創 深度公衆號ID：icbank喜歡我們的內容就點“在看”分享給小夥伴哦 (本文内容不代表本站观点。) --------------------------------- |
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